Gpo3 Plastifye rezistivite

Metòd ak karakteristik 2100kev piki vanadyòm gwo enèji nan kouch semi izolasyon gpo3 Plastifye yo te etidye. Distribisyon konsantrasyon kouch sou fòm piki a te simulation pa Monte Carlo analiz lojisyèl taye Lè l sèvi avèk yon estrikti mesa pou gpo3, li jwenn ke rezistivite nan kouch vanadyòm implanté a se pre relasyon ak kalite inisyal konduktiviti nan kouch gpo3 Nan tanperati chanm, rezistivite a. nan vanadyòm implanté p-tip ak n-tip 4H SiC se 1.6, respektivman × 10 ^ 10 ak 7.6 × 10 ^ 6 Ω· cm Yo mezire rezistans nan diferan tanperati rkwir. Li jwenn ke rkwir tanperati ki wo se fezab nan aktivasyon sibstitisyon vanadyòm ak ogmante rezistivite a. Akòz enfliyans nan difizyon vanadyòm, rezistivite a diminye yon ti kras apre rkwir nan 1700 degre yo te mezire rezistans nan n-tip SiC vanadyòm kouch implanté nan 20 ~ 140 degre. Enèji aktivasyon nivo aseptè vanadyòm nan 4H SiC te kalkile 0.78ev.